Micron vừa mới lập kỉ lục chưa từng có trong giới ép xung RAM, vượt qua kỉ lục trước đó của Adata là 5634 MHz. Với khác biệt lên đến 92 MHz, kết quả của Micron vượt lên với một khoảng cách khá đáng kể.
Stavros Savvopoulos and Phil Strecker đến từ Overclocked Gaming Systems (OGS) đã đạt kỉ lục với một thanh RAM duy nhất nhãn hiệu Ballistix Elite DDR4-3600 đi kèm với CPU 6 nhân Intel Core i7-8096K lắp trên mainboard Asus Maximus XI Apex. Những cựu binh ép xung đã đẩy được thanh RAM Ballistix Elite lên mức xung 5726 MHz với sự trợ giúp của tản nhiệt ni-tơ lỏng.
Điều làm cho kết quả đạt được của Micron thêm phần ấn tượng đó là khả năng chịu đựng mức điện áp cao và nhiệt độ thấp của Ballistix Elite. Theo như ghi chép của Savvopoulos, thanh RAM Ballistix Elite DDR4-3600 sử dụng chính E-die chip của Micron. Chắc chắn, đây là một thành tựu đáng kể cho Micron E-die trong một thé giới đang bị thống trị bởi Samsung’s B-die chips vốn sắp bị cho nghỉ hưu.
Không như những người nắm giữ kỉ lục trước đó như Adata và HyperX phải đặt timing rất lớn để đạt kỉ lục. Thanh RAM Micron’s Ballistix Elite đạt tốc độ 5726 MHz với CL timing hợp lí hơn rất nhiều. Đội OGS cài đặt timing ở CL24-31-31-63 và để cho thanh RAM làm các công việc còn lại. Điều này cung cấp thêm bằng chứng cho khả năng của Micron E-die cũng tốt như Samsung B-die. Rất có thể Micron E-die sẽ trở thành lựa chọn thực tế nhất cho dân ép xung bộ nhớ. Từ những gì chúng tôi chứng kiến, nó hoàn toàn đủ khả năng để lấp vào khoảng trống Samsung B-die để lại.
Computex 2019 đang đến rất gần, và như mọi khi, G.Skill sẽ tổ chức sự kiện ép xung bộ nhớ thường niên. Đây là một dịp tốt để chứng kiến liệu các thí sinh của đội nhà có thể giành lại vương miện ép xung bộ nhớ trong cho G.Skill hay không.
Nguồn: Tomshardware
Đăng bình luận về bài viết này